Samsung в следующие три года инвестирует 42,8 миллиарда долларов в полупроводниковое направление

24 августа Samsung Electronics опубликовала новый инвестиционный план, предусматривающий крупные инвестиции в развитие полупроводникового бизнеса — минимум 50 триллионов вон (42,8 миллиарда долларов). Инвестиционный план рассчитан на 3 года.

Ожидается, что в эту сумму включены 17 миллиарда долларов под новый завод по выпуску чипов в США. Кроме того, часть средств направят на строительство передовых фабрик в Пхёнтхэке и расширение штата специалистов, чтобы усовершенствовать 3-нанометровый техпроцесс.

Еще одна цель этой инвестиционной программы — сохранить лидирующие позиции на рынке микросхем памяти. Micron Technology недавно выпустила первую в мире 10-нм микросхему DRAM четвертого поколения без EUV-литографии. В индустрии флэш-памяти NAND компании Micron Technology и SK Hynix недавно завершили разработку 176-слойных микросхем. Samsung Electronics планирует в текущем полугодии начать массовое производство 14-нанометровых микросхем DRAM, а также с помощью дополнительных инвестиций ускорить старт выпуска памяти DRAM с применением EUV-литографии и флэш-памяти NAND с числом слоев не менее 200. Эти новые финансовые влияния должны поспособствовать достижению целей на рынке памяти.

Суммарно Samsung Electronics планирует вложить 240 триллионов вон (206 миллиардов долларов) в течение трех лет в такие отрасли, как полупроводники и биотехнологии. На фоне этой новости цена акций Samsung Electronics выросла более чем на 3%, что впервые с 25 февраля. Котировки акций других дочерних компаний Samsung Group также выросли, включая Samsung C&T (1,94%) и Samsung Life Insurance (2,5%).

Источник